晶片表面有油污,很難以檢測(cè)到,即便用KLA也難以判斷,這主要是有檢測(cè)原理決定的。有污染的晶片若被應(yīng)用的外延,就會(huì)嚴(yán)重影響到LED的品質(zhì),使成品率下降。所以,如果要排除污染,就必須有一個(gè)專業(yè)的設(shè)備進(jìn)行探測(cè)與判斷。
平整度是晶片很重要的參數(shù),直接決定了片子合格與否,檢測(cè)平整度的方法很多,但目前看來(lái)國(guó)際還是依托于SEMI標(biāo)準(zhǔn)。參數(shù)的定義,檢測(cè)的精度都是需要認(rèn)真考慮的。
腐蝕工藝直接決定了檢測(cè)位錯(cuò)的結(jié)果,關(guān)鍵的一點(diǎn)可能會(huì)讓您少走很多的彎路,敬請(qǐng)關(guān)注。
光學(xué)晶體等級(jí)一般分六級(jí),如何進(jìn)行評(píng)估,怎么評(píng)估?這不光需要專業(yè)的檢測(cè)設(shè)備,還有就是一線檢測(cè)經(jīng)驗(yàn)。
碳化硅工藝流程及檢測(cè)方案
工藝流程及涉及的檢測(cè)設(shè)備